MTE670T
El SSD M.2 MTE670T de Transcend cuenta con la interfaz PCI Express (PCIe) Gen 3 x4 y es compatible con las especificaciones NVM Express (NVMe) 1.3 para lograr velocidades de transferencia nunca antes vistas. El MTE670T cuenta con tecnología 3D NAND de última generación, que permite apilar verticalmente 112 capas de chips flash 3D NAND. En comparación con 3D NAND de 96 capas, este avance en densidad mejora en gran medida la eficiencia del almacenamiento. Aplicado con una PCB con pines de conexión de oro de 30µ» y tecnología Corner Bond, el MTE670T es completamente probado en casa para garantizar confiabilidad en aplicaciones de misión crítica, con una clasificación de resistencia P/E de 3K ciclos y una temperatura de funcionamiento extendida con rango de -20 ℃ ~ 75 ℃.
Características de Firmware
- Soporta comandos NVM
- Tecnología de caché SLC
- Dynamic thermal throttling
- Función LDPC ECC (Error Correction Code) Integrado
- Avanzado Nivelación de Desgaste Global y Administración de Bloques Defectuosos para fiabilidad
- Recolección de Basura Avanzado
- Función S.M.A.R.T. mejorado para durabilidad
- Comando TRIM para mejor rendimiento
Características de Hardware
- Cumple con los estándares RoHS
- Cumple con las especificaciones NVM Express 1.3
- Cumple con las especificaciones PCI Express 3.1
- Factor de forma M.2 (80mm) – ideal para dispositivos informáticos móviles
- Interfaz PCIe Gen 3 x 4
- Resistencia: 3K ciclos P/E (Programar/Eliminar) garantizados
- Los componentes principales son reforzados de fábrica con la tecnología Corner Bond
- PCB cuenta con pines de conexión de oro con espesor de 30µ
- Power Shield (PS) to ensure data transfer integrity and minimize data corruption in the drive during an abnormal power outage
- Temperatura extendida(-20°C ~ 75°C) y Temperatura amplia(-40°C ~ 85°C) opciones disponibles
- Soporta el software Scope Pro de Transcend
Especificaciones
Apariencia |
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| Dimensiones | 80 mm x 22 mm x 2.23 mm (3.15″ x 0.87″ x 0.08″) |
|---|---|
| Peso | 9 g (0.32 oz) |
| Factor de Forma |
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| Tipo M.2 |
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Interfaz |
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| Interfaz de Bus |
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Almacenamiento |
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| Tipo de Flash |
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| Capacidad |
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Ambiente de Operación |
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| Voltaje de Operación |
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| Temperatura de Operación |
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| Temperatura de Almacenamiento | -40°C (-40°F) ~ 85°C (185°F) |
| Humedad | 5% ~ 95% |
| Golpe |
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| Vibración (Operando) | 20 G (Pico-a-Pico), 7 Hz ~ 2,000 Hz (frecuencia) |
Alimentación |
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| Consumo de energía (Operando) | 3.1 vatio(s) |
| Consumo de energía (IDLE) | 0.4 vatio(s) |
Rendimiento |
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| Lectura / Escritura Secuencial (CrystalDiskMark) | Lectura: Hasta 2,100 MB/s Escritura: Hasta 1,600 MB/s |
| Lectura / Escritura Aleatoria 4K (IOmeter) | Lectura: Hasta 150,000 IOPS Escritura: Hasta 280,000 IOPS |
| Tiempo Medio entre Fallos (MTBF) | 3,000,000 hora(s) |
| Terabytes Escrito (TBW) | Hasta 960 TBW |
| Numero de Discos Escrito por Día (DWPD) | 0.88 (3 años) |
| Nota |
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